型号 | SI7114DN-T1-E3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 |
SI7114DN-T1-E3 PDF | |
代理商 | SI7114DN-T1-E3 |
产品目录绘图 | DN-T1-E3 Series 1212-8 |
标准包装 | 3,000 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11.7A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 毫欧 @ 18.3A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
产品目录页面 | 1660 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI7114DN-T1-E3TR |